marthel.pl / dystrybucja / o firmie winbond
  Zestawienia produktów

Mobilne pamięci DRAM
       Pseudo SRAM
       HyperRAM
       Niskomocowe SDR SDRAM
       Niskomocowe DDR SDRAM
       Niskomocowe DDR2 SDRAM
       Niskomocowe DDR3 SDRAM
       Niskomocowe DDR4/4X SDRAM

Pamięci DRAM
       SDRAM
       DDR SDRAM
       DDR2 SDRAM
       DDR3 SDRAM

Pamięci Flash
       NOR Flash szeregowe
       1,2V NOR Flash szeregowe
       NAND Flash szeregowe
       Wysokowydajne NAND Flash szeregowe
       SLC NAND Flash równoległe
       MCP na bazie NAND Flash
       SpiStack Flash
       Pamięci autoryzujące Flash

Firma Winbond Electronics Corporation powstała w 1987 roku w Hsinchu Science Park na Tajwanie. Dotychczas była znana jako jeden z największych na świecie producentów szerokiej gamy układów scalonych dużej skali integracji (LSI) takich, jak mikrokontrolery, pamięci, układy telekomunikacyjne, układy logiczne do komputerów i układy dźwiękowe. W lipcu 2008 roku ze struktur Winbonda została utworzona nowa firma, Nuvoton Technology Corporation, będąca filią Winbonda, która przejęła jego linie produktowe w zakresie układów logicznych do komputerów i układów logicznych elektroniki użytkowej, za wyjątkiem pamięci.
Działalność firmy jest obecnie ukierunkowana wyłącznie na układy pamięci półprzewodnikowych, aktualnie w trzech grupach produktowych: Mobile DRAM, DRAM i Flash.

Winbond stosuje najnowocześniejsze technologie produkcji układów scalonych, posiada certyfikaty IECQ, ISO 9001, ISO 14001 i QS 9000. Wiele z pamięci posiada klasę motoryzacyjną zgodną ze specyfikacją AEC-Q100.
Firma otworzyła filie w USA, Japonii i Hong Kongu.

Posiadamy w swojej ofercie pełny asortyment pamięci firmy Winbond.

  • Mobilne pamięci DRAM


    • Pamięci Pseudo SRAM (PSRAM) - pamięci z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach w zakresie 32 - 256 Mbit, pracujące z częstotliwością zegara 166 MHz. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy. W porównaniu do CMOS SRAM mają większą pojemność, większą prędkość, mniejszy rozmiar struktury i działanie kompatybilne z pamięciami DRAM.


    • Pamięci HyperRAM - udoskonalona wersja pamięci Pseudo SRAM, z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM, charakteryzująca się wyższą prędkością pracy i mniejszymi obudowami. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V lub 3 V, o pojemnościach w zakresie 32 - 128 Mbit, pracujące z częstotliwością zegara do 200 MHz. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy.


    • Niskomocowe pamięci SDR SDRAM (LPSDR) - pamięci SDRAM o pojedynczym transferze danych w jednym cyklu zegara (SDR), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach 128 - 512 Mbit, pracujące z częstotliwością zegara do 166 MHz.


    • Niskomocowe pamięci DDR SDRAM (LPDDR) - pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych w jednym cyklu zegara (architektura DDR), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach 128 Mbit - 1 Gbit, pracujące z częstotliwością zegara do 200 MHz.


    • Niskomocowe pamięci DDR2 SDRAM (LPDDR2) - pamięci SDRAM o architekturze DDR 2-giej generacji (podwójnym transferze danych w jednym cyklu zegara), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Dzięki zastosowaniu wyższej efektywnej częstotliwości taktowania osiągają większą prędkość działania niż pamięci LPDDR. Są to układy zasilane napięciami 1,8/1,2 V, o pojemnościach 256 Mbit - 2 Gbit, pracujące z częstotliwością zegara do 533 MHz.


    • Niskomocowe pamięci DDR3 SDRAM (LPDDR3) - pamięci SDRAM o architekturze DDR 3-ciej generacji (podwójnym transferze danych w jednym cyklu zegara), bazujące na standardzie JESD209-3, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciami 1,8/1,2 V, o pojemnościach 1 - 4 Gbit. Pracują z częstotliwością zegara do 1066 MHz osiągając bardzo wysoką prędkość transferu do 2133 Mbit/sek/pin.


    • Niskomocowe pamięci DDR4/4X SDRAM (LPDDR4) - pamięci SDRAM o architekturze DDR 4-tej generacji (podwójnym transferze danych w jednym cyklu zegara), bazujące na standardzie JESD209-4, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Są to układy zasilane napięciami 1,8/1,1/1,1 V (DDR4) lub 1,8/1,1/0,6 V (DDR4X), o pojemności 2 - 8 Gbit. Pracują z częstotliwością zegara do 2133 MHz osiągając bardzo wysoką prędkość transferu do 4267 Mbit/sek/pin.


  • Pamięci DRAM


    • Pamięci SDRAM - synchroniczne pamięci DRAM pracujące z taką samą prędkością jak CPU. Są to układy zasilane napięciami 3,0 - 3,6 V lub 2,7 - 3,6 V, o pojemnościach w zakresie 16 - 256 Mbit, pracujące z częstotliwościami zegara 133 - 200 MHz.


    • Pamięci DDR SDRAM - synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR (Double Data Rate - podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), uzyskujące dwukrotnie wyższą prędkość danych niż pamięci SDR SDRAM poprzez zastosowanie transferu danych na obu zboczach sygnału zegarowego. Są to układy zasilane napięciami 2,3 - 2,7 V lub 2,4 - 2,7 V, o pojemnościach w zakresie 64 - 256 Mbit, pracujące z częstotliwościami zegara 166 - 250 MHz. Są zgodne ze specyfikacjami DDR-333, DDR-400 i DDR-500.


    • Pamięci DDR2 SDRAM - synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR 2-giej generacji (Double Data Rate - podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), które dzięki zastosowaniu wyższej efektywnej częstotliwości taktowania osiągają większą prędkość działania niż pamięci DDR SDRAM. Są to układy zasilane napięciem 1,8 V, o pojemnościach w zakresie 128 Mbit - 2 Gbit, zgodne ze specyfikacjami DDR2-667, DDR2-800 i DDR2-1066.


    • Pamięci DDR3 SDRAM - synchroniczne pamięci DRAM o architekturze DDR 3-ciej generacji (Double Data Rate - podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara), które dzięki zastosowaniu wyższej efektywnej częstotliwości taktowania osiągają większą prędkość działania niż pamięci DDR2 SDRAM. Są to układy zasilane napięciami 1,5 V ±0,075 V lub 1,283 - 1,45 V, o pojemnościach 512 Mbit - 4 Gbit, zgodne ze specyfikacjami DDR3-1333, DDR3-1600, DDR3-1866 i DDR3-2133.


  • Pamięci Flash


    • Szeregowe pamięci NOR Flash - szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii NOR z interfejsem szeregowym SPI (Serial Peripheral Interface) o pojedynczym/podwójnym (seria X) lub pojedynczym/podwójnym/poczwórnym wyjściu (seria Q) oraz z interfejsem QPI (Quad Peripheral Interface). Jest to seria układów o pojemnościach 512 kbit - 2 Gbit i zróżnicowanym zasilaniu 2,7 (2,3) - 3,6 V lub 1,65 - 1,95 V. Mogą pracować z częstotliwością zegara do 133 MHz, co daje maksymalną prędkość transferu danych 266 Mbit/s w serii X oraz 532 Mbit/s w serii Q. Charakteryzują się małą obudową 8-końcówkową, niewielkim poborem mocy, liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy i trwałością zapisu 20 lat.


    • Szeregowe pamięci NOR Flash o napięciu zasilania 1,2V - szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii NOR z interfejsem szeregowym SPI (Serial Peripheral Interface) o pojedynczym/podwójnym/poczwórnym wyjściu. Jest to seria układów o pojemności 8 -128 Mbit, napięciu zasilania 1,14 - 1,6 V i bardzo małym poborze mocy. Mogą pracować z częstotliwością zegara do 104 MHz, co daje maksymalną prędkość transferu danych 416 Mbit/s. Charakteryzują się małą obudową 8-końcówkową, liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy i trwałością zapisu 20 lat.


    • Szeregowe pamięci NAND Flash - szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii NAND z interfejsem szeregowym SPI (Serial Peripheral Interface) o pojedynczym/podwójnym/poczwórnym wyjściu oraz z interfejsem QPI (Quad Peripheral Interface). Stanowią rozszerzenie serii pamięci szeregowych NOR Flash dla większych pojemności: 512 Mbit - 4 Gbit. Są to układy o napięciu zasilania 2,7 - 3,6 V lub 1,70 - 1,95 V, które mogą pracować z częstotliwością zegara do 166 MHz, co pozwala uzyskać maksymalną prędkość transferu danych do 532 Mbit/s. Są produkowane w małych obudowach 8- lub 24-końcówkowych i charakteryzują się niewielkim poborem mocy, liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy i trwałością zapisu 10 lat.


    • Wysokowydajne szeregowe pamięci NAND Flash - szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii NAND z interfejsem szeregowym SPI (Serial Peripheral Interface) o pojedynczym/podwójnym/poczwórnym wyjściu oraz z interfejsem QPI (Quad Peripheral Interface). Są to układy o pojemności 1 - 2 Gbit, zasilane napięciem 1,70 - 1,95 V. Mogą pracować z częstotliwością zegara do 166 MHz, co pozwala uzyskać maksymalną prędkość transferu danych do 532 Mbit/s. Są produkowane w małych obudowach 8- lub 24-końcówkowych i charakteryzują się niewielkim poborem mocy, liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy i trwałością zapisu 10 lat.


    • Równoległe pamięci SLC NAND Flash - szybkie pamięci nieulotne wykonane w technologii SLC NAND z równoległą magistralą adresową/danych. Jest to seria układów o pojemności 1 - 8 Gbit, z magistralą o szerokości 8 lub 16 bitów. Posiadają napięcie zasilania 2,7 - 3,6 V lub 1,7 - 1,95 V. Mogą pracować z częstotliwością zegara do 40 MHz i charakteryzują się liczbą cykli programowania/kasowania do 100 tys. razy, małym poborem mocy i trwałością zapisu 10 lat.


    • MCP na bazie NAND Flash - zespoły pamięci w jednej obudowie wieloukładowej MCP (Multi-Chip Package), zawierające równoległą pamięć NAND Flash oraz mobilną pamięć niskomocową LP DDR/DDR2/DDR4X SDRAM, służące do przechowywania danych i kodu. Takie kompaktowe rozwiązanie pozwala uzyskać znaczną oszczędność miejsca na płytkach PCB. Uklady zawierają pamięci o pojemnościach 512 Mbit i 1/2/4 Gbit w różnych kombinacjach i są zasilane napięciami 1,7 - 1,95 V i 1,14 - 1,30 V. Są produkowane w obudowach BGA.


    • Pamięci SpiStack Flash - Seria pamięci Flash z interfejsem szeregowym, składających się z piętrowo ułożonych struktur pamięci typu NOR i NAND w różnych kombinacjach, służących do przechowywania danych i kodu. Takie kompaktowe rozwiązanie pozwala uzyskać znaczną oszczędność miejsca na płytkach PCB. Zawierają struktury NOR Flash o pojemnościach 16 - 128 Mbit oraz NAND Flash o pojemnościach 512 Mbit lub 1 Gbit. Układy są zasilane napięciem 2,7 - 3,6 V lub 1,7 - 1,95 V i dostarczane w obudowach WSON-8 i BGA-24.


    • Pamięci autoryzujące Flash - rodzina pamięci Flash z wbudowanymi zaawansowanymi mechanizmami zabezpieczeń w celu podwyższenia poziomu bezpieczeństwa podczas współpracy z szeroką gamą mikroprocesorów i układów SoC. Są to elementy wieloukładowe, wykonane na bazie szeregowych pamięci Flash z interfejsem SPI. Oprócz standardowych zabezpieczeń zawartych w typowych pamięciach Flash, układy te mają wbudowane dodatkowe zabezpieczenia przed nieautoryzowanym dostępem takie, jak akcelerator kryptograficzny HMAC-SHA-256, klucze główne programowane w trybie OTP, klucze HMAC i liczniki monotoniczne. Mogą pracować z częstotliwością zegara do 133 MHz, co daje maksymalną prędkość transferu danych do 532 Mbit/s. Posiadają zasilanie 2,7 - 3,6 V lub 1,7 - 1,95 V i pojemności 64 Mbit - 2 Gbit.

 
Zestawienia produktów

Mobilne pamięci DRAM
       Pseudo SRAM
       HyperRAM
       Niskomocowe SDR SDRAM
       Niskomocowe DDR SDRAM
       Niskomocowe DDR2 SDRAM
       Niskomocowe DDR3 SDRAM
       Niskomocowe DDR4/4X SDRAM

Pamięci DRAM
       SDRAM
       DDR SDRAM
       DDR2 SDRAM
       DDR3 SDRAM

Pamięci Flash
       NOR Flash szeregowe
       1,2V NOR Flash szeregowe
       NAND Flash szeregowe
       Wysokowydajne NAND Flash szeregowe
       SLC NAND Flash równoległe
       MCP na bazie NAND Flash
       SpiStack Flash
       Pamięci autoryzujące Flash