Pseudo SRAM Pamięci z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy. W porównaniu do CMOS SRAM mają większą pojemność, większą prędkość, mniejszy rozmiar struktury i działanie kompatybilne z pamięciami DRAM.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
Typ układu |
Opis |
Pojemność (organizacja) | Częstotliwość zegara | Czas dostępu [ns] | Napięcie zasilania [V] | Temperat. pracy [°C] | Obudowa | Status * | Wersja motoryz. * | W956D6KBK (1710 kB) CellularRAM-ADM:- multipleksowany adres/ dane
- obsługuje tryb asynchroniczny i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 64 Mbit (4Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -40 – +85 (I) | WFBGA-49 (4x4 mm2) | P | - | | W958D6DBC (1159 kB) CellularRAM-ADM:- multipleksowany adres/ dane
- obsługuje tryb asynchroniczny i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 256 Mbit (16Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -40 – +85 (I) | VFBGA-54 (6x8 mm2) | N | - | | W968D6DAG (1678 kB) CellularRAM:- obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 256 Mbit (16Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -40 – +85 (I) | VFBGA-54 (6x8 mm2) | N | - | |
HyperRAM Udoskonalona wersja pamięci Pseudo SRAM, z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM, charakteryzująca się wyższą prędkością pracy i mniejszymi obudowami.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
Typ układu |
Opis |
Pojemność (organizacja) | Częstotliwość zegara | Czas dostępu [ns] | Napięcie zasilania [V] | Temperat. pracy [°C] | Obudowa | Status * | Wersja motoryz. * | W955D8MBY (917 kB) - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- różnicowe wejścia zegarowe
- sprzętowy Reset
- bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
- zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
- tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down)
- tryby odświeżania: pełne lub częściowe
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 32 Mbit (4Mx8) | 166 MHz | 36 | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -40 – +85 (I) | TFBGA-24 (6x8 mm2) | P | - | | W956D8MBY (774 kB) - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 64 Mbit (8Mx8) | 200 MHz | | 1,8 | -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | TFBGA-24 (6x8 mm2) | P | P | | W956A8MBY (774 kB) - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 64 Mbit (8Mx8) | 166 MHz | | 3,0 | -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | TFBGA-24 (6x8 mm2) | P | P | | W957D8MFY (660 kB) - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 128 Mbit (16Mx8) | 200 MHz | | 1,8 | -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | TFBGA-24 (6x8 mm2) | P | P | | W957A8MFY (660 kB) - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 128 Mbit (16Mx8) | 166/200 MHz | | 3,0 | -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | TFBGA-24 (6x8 mm2) | P | P | | W958D8NBY (767 kB) - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 256 Mbit (32Mx8) | 200 / 250 MHz | | 1,8 | -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | BGA-24 | P | P | | W958D8NWS | - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 256 Mbit (32Mx8) | 200 MHz | | 1,8 | -40 – +85 (I) | WLCSP | P | - | W958D6NWS | - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 16-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 256 Mbit (16Mx16) | 200 MHz | | 1,8 | -40 – +85 (I) | WLCSP | P | - | W959D8NFY (731 kB) - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 512 Mbit (64Mx8) | 200 / 250 MHz | | 1,8 | -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | BGA-24
WLCSP | P | P | |
Niskomocowe SDR SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o pojedynczym transferze danych (SDR), posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
Typ układu |
Opis |
Pojemność (organizacja) | Częstotliwość zegara | Napięcie zasilania [V] | Temperat. pracy [°C] | Obudowa | Status * | Wersja motoryz. * | W987D6HBG (1834 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -6, -75
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
- 4 banki
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 128 Mbit (8Mx16) | 133 MHz (-75) 166 MHz (-6) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-54 (8x9 mm2) | N | - | | W987D2HBJ (1834 kB) 128 Mbit (4Mx32) | 133 MHz (-75) 166 MHz (-6) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-90 (8x13 mm2) | N | - | | W988D6FBG (1036 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -6, -75
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
- 4 banki
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 256 Mbit (16Mx16) | 133 MHz (-75) 166 MHz (-6) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-54 (8x9 mm2) | N | - | | W988D2FBJ (1036 kB) 256 Mbit (8Mx32) | 133 MHz (-75) 166 MHz (-6) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-90 (8x13 mm2) | N | - | | W989D6KBG (1463 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -6, -75
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
- 4 banki
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 512 Mbit (32Mx16) | 133 MHz (-75) 166 MHz (-6) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-54 (8x9 mm2) | N | - | | W989D2KBJ (1463 kB) 512 Mbit (16Mx32) | 133 MHz (-75) 166 MHz (-6) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-90 (8x13 mm2) | N | - | | W989D6DBG (1192 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -6, -75
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
- 4 banki
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 512 Mbit (32Mx16) | 133 MHz (-75) 166 MHz (-6) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-54 (8x9 mm2) | P | - | | W989D2DBJ (1192 kB) 512 Mbit (16Mx32) | 133 MHz (-75) 166 MHz (-6) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-90 (8x13 mm2) | P | - | |
Niskomocowe DDR SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
Typ układu |
Opis |
Pojemność (organizacja) | Częstotliwość zegara | Napięcie zasilania [V] | Temperat. pracy [°C] | Obudowa | Status * | Wersja motoryz. * | W947D6HBH (1161 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 128 Mbit (8Mx16) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-60 (8x9 mm2) | N | - | | W947D2HBJ (1161 kB) 128 Mbit (4Mx32) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-90 (8x13 mm2) | N | - | | W948D6FBH (963 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 256 Mbit (16Mx16) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-60 (8x9 mm2) | N | - | | W948D2FBJ (963 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 256 Mbit (8Mx32) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-90 (8x13 mm2) | N | - | | W948D6KBH (1057 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 256 Mbit (16Mx16) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-60 (8x9 mm2) | P | - | | W948V6KBH (DSR) (1089 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- głębokie samoodświeżanie (Deep Self-Refresh - DSR) pozwalajace zaoszczędzić 70% mocy w stosunku do samoodświeżania standardowego
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 256 Mbit (16Mx16) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6: -25 – +85 (G)
Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-60 (8x9 mm2) | P | - | | W949D6KBH (936 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 512 Mbit (32Mx16) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-60 (8x9 mm2) | N | - | | W949D2KBJ (936 kB) 512 Mbit (16Mx32) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-90 (8x13 mm2) | N | - | | W949D6DBH (1071 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 512 Mbit (32Mx16) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-60 (8x9 mm2) | P | N | | W949D2DBJ (1071 kB) 512 Mbit (16Mx32) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-90 (8x13 mm2) | P | N | | W94AD6KBH (1142 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 1 Gbit (64Mx16) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-60 (8x9 mm2) | P | N | | W94AD2KBJ (1142 kB) 1 Gbit (32Mx32) | 166 MHz (-6) 200 MHz (-5) | 1,8/1,8 (VDD/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | VFBGA-90 (8x13 mm2) | P | N | |
Niskomocowe DDR2 SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 2-giej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
Typ układu |
Opis |
Pojemność (organizacja) | Częstotliwość zegara | Napięcie zasilania [V] | Temperat. pracy [°C] | Obudowa | Status * | Wersja motoryz. * | W978H6KBV (1876 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 256 Mbit (16Mx16) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | N | | W978H2KBV (1876 kB) 256 Mbit (8Mx32) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | N | | W979H6KBV (1877 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 512 Mbit (32Mx16) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | P | | W979H2KBV (1877 kB) 512 Mbit (16Mx32) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | P | | W97AH6KBV (1916 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 1 Gbit (64Mx16) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | N | | W97AH2KBV (1916 kB) 1 Gbit (32Mx32) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | N | | W97AH6NBV (1913 kB) 1 Gbit (64Mx16) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | P | P | | W97AH2NBV (1913 kB) 1 Gbit (32Mx32) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | P | P | | W97BH6MBV (1914 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 2 Gbit (128Mx16) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | P | N | | W97BH2MBV (1914 kB) 2 Gbit (64Mx32) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | P | N | |
Niskomocowe DDR3 SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 3-ciej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
Typ układu |
Opis |
Pojemność (organizacja) | Częstotliwość zegara | Napięcie zasilania [V] | Temperat. pracy [°C] | Obudowa | Status * | Wersja motoryz. * | W63AH6NBV (2085 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 1 Gbit (64Mx16) | 800 / 933 / 1066 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | BGA-178 | P | - | | W63AH2NBV (2085 kB) 1 Gbit (32Mx32) | 800 / 933 / 1066 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I) | BGA-178 | P | - | |
Niskomocowe DDR4/4X SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 4-tej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,1/1,1 V (DDR4) lub 1,8/1,1/0,6 V (DDR4X), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
Typ układu |
Opis |
Pojemność (organizacja) | Częstotliwość zegara | Napięcie zasilania [V] | Temperat. pracy [°C] | Obudowa | Status * | Wersja motoryz. * | W66BP6NBU (3657 kB) - organizacja jednokanałowa, pojedyncza struktura w jednej obudowie (Single-Die-Package)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 16/32
- 8 banków
- tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
- tryb czuwania (Power-down)
- zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I), przemysłowy plus (J), motoryzacyjny
| 2 Gbit (128Mx16x1 kanał) | 1600 / 1866 MHz | 1,8 / 1,1 / 1,1 | -40 – +95 (I)
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | P | P | | W66BQ6NBU (3635 kB) 2 Gbit (128Mx16x1 kanał) | 1600 / 1866 MHz | 1,8 / 1,1 / 0,6 | -40 – +95 (I)
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | P | P | | W66CP2NQU (3657 kB) - organizacja dwukanałowa, dwie struktury w jednej obudowie (Dual-Die-Package)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 16/32
- 8 banków
- tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
- tryb czuwania (Power-down)
- zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 4 Gbit (128Mx16x2 kanały) | 1600 / 1866 MHz | 1,8 / 1,1 / 1,1 | -40 – +95
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | P | P | | W66CQ2NQU (3635 kB) 4 Gbit (128Mx16x2 kanały) | 1600 / 1866 MHz | 1,8 / 1,1 / 0,6 | -40 – +95
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | P | P | |
|