Pseudo SRAM Pamięci z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy. W porównaniu do CMOS SRAM mają większą pojemność, większą prędkość, mniejszy rozmiar struktury i działanie kompatybilne z pamięciami DRAM.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
| Typ układu |
Opis |
Pojemność
(organizacja) | Częstotliwość
zegara | Czas dostępu
[ns] | Napięcie
zasilania
[V] | Temperat.
pracy
[°C] | Obudowa | Status
* | Wersja
motoryz.
* | W956K6HBC (1652 kB) CellularRAM-ADM:- multipleksowany adres/ dane
- obsługuje tryb asynchroniczny i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 32 Mbit
(2Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -40 - +85 (I) | VFBGA-54
(6x8 mm2) | N | - | | W966K6HBG (1420 kB) CellularRAM:- obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 32 Mbit
(2Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -40 - +85 (I) | VFBGA-54
(6x8 mm2) | N | - | | W966D6HBG (1934 kB) CellularRAM:- obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 64 Mbit
(4Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -40 - +85 (I) | VFBGA-54
(6x8 mm2) | N | - | | W956D6HBC (1368 kB) CellularRAM-ADM:- multipleksowany adres/ dane
- obsługuje tryb asynchroniczny i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 64 Mbit
(4Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -40 - +85 (I) | VFBGA-54
(6x8 mm2) | N | - | | W956D6KBK (1710 kB) CellularRAM-ADM:- multipleksowany adres/ dane
- obsługuje tryb asynchroniczny i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 64 Mbit
(4Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -40 - +85 (I) | WFBGA-49
(4x4 mm2) | P | - | | W957D6HBC (1838 kB) CellularRAM-ADM:- multipleksowany adres/ dane
- obsługuje tryb asynchroniczny i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 128 Mbit
(8Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -40 - +85 (I) | VFBGA-54
(6x8 mm2) | P | - | | W967D6HBG (1382 kB) CellularRAM:- obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 128 Mbit
(8Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -40 - +85 (I) | VFBGA-54
(6x8 mm2) | P | - | | W958D6DBC (1361 kB) CellularRAM-ADM:- multipleksowany adres/ dane
- obsługuje tryb asynchroniczny i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 256 Mbit
(16Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -40 - +85 (I) | VFBGA-54
(6x8 mm2) | P | - | | W968D6DAG (1420 kB) CellularRAM:- obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst
- zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły
- głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 256 Mbit
(16Mx16) | 133 MHz | 70 | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -40 - +85 (I) | VFBGA-54
(6x8 mm2) | P | - | |
HyperRAM Udoskonalona wersja pamięci Pseudo SRAM, z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM, charakteryzująca się wyższą prędkością pracy i mniejszymi obudowami.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
| Typ układu |
Opis |
Pojemność
(organizacja) | Częstotliwość
zegara | Czas dostępu
[ns] | Napięcie
zasilania
[V] | Temperat.
pracy
[°C] | Obudowa | Status
* | Wersja
motoryz.
* | W955D8MBY (917 kB) - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- różnicowe wejścia zegarowe
- sprzętowy Reset
- bramkowany zapis/odczyt (RWDS)
- zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym
- tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-Down)
- tryby odświeżania: pełne lub częściowe
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
| 32 Mbit
(4Mx8) | 166 MHz | 36 | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -40 - +85 (I) | TFBGA-24
(6x8 mm2) | P | - | | | W956D8MBY | - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 64 Mbit
(8Mx8) | 200 MHz | | 1,8 | -40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | TFBGA-24
(6x8 mm2) | S | UD | | W956A8MBY | - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 64 Mbit
(8Mx8) | 166 MHz | | 3,0 | -40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | TFBGA-24
(6x8 mm2) | S | UD | | W958D8MFY | - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 128 Mbit
(16Mx8) | 200 MHz | | 1,8 | -40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | TFBGA-24
(6x8 mm2) | S | UD | | W958A8MFY | - interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR
- magistrala danych 8-bitowa
- szybkie operacje odczytu i zapisu
- mała obudowa
- zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 128 Mbit
(16Mx8) | 166 MHz | | 3,0 | -40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | TFBGA-24
(6x8 mm2) | S | UD |
Niskomocowe SDR SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o pojedynczym transferze danych (SDR), posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
| Typ układu |
Opis |
Pojemność
(organizacja) | Częstotliwość
zegara | Napięcie
zasilania
[V] | Temperat.
pracy
[°C] | Obudowa | Status
* | Wersja
motoryz.
* | W987D6HBG (1834 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -6, -75
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
- 4 banki
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 128 Mbit
(8Mx16) | 133 MHz (-75)
166 MHz (-6) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-54
(8x9 mm2) | P | - | | W987D2HBJ (1834 kB) 128 Mbit
(4Mx32) | 133 MHz (-75)
166 MHz (-6) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-90
(8x13 mm2) | P | - | | W988D6FBG (1036 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -6, -75
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
- 4 banki
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 256 Mbit
(16Mx16) | 133 MHz (-75)
166 MHz (-6) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-54
(8x9 mm2) | P | - | | W988D2FBJ (1036 kB) 256 Mbit
(8Mx32) | 133 MHz (-75)
166 MHz (-6) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-90
(8x13 mm2) | P | - | | W989D6KBG (1463 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -6, -75
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
- 4 banki
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 512 Mbit
(32Mx16) | 133 MHz (-75)
166 MHz (-6) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-54
(8x9 mm2) | N | - | | W989D2KBJ (1463 kB) 512 Mbit
(16Mx32) | 133 MHz (-75)
166 MHz (-6) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-90
(8x13 mm2) | N | - | | W989D6DBG (1192 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -6, -75
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona
- 4 banki
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 512 Mbit
(32Mx16) | 133 MHz (-75)
166 MHz (-6) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-54
(8x9 mm2) | P | - | | W989D2DBJ (1192 kB) 512 Mbit
(16Mx32) | 133 MHz (-75)
166 MHz (-6) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-90
(8x13 mm2) | P | - | |
Niskomocowe DDR SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
| Typ układu |
Opis |
Pojemność
(organizacja) | Częstotliwość
zegara | Napięcie
zasilania
[V] | Temperat.
pracy
[°C] | Obudowa | Status
* | Wersja
motoryz.
* | W947D6HBH (1161 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 128 Mbit
(8Mx16) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6:
-25 - +85 (G)
Niski IDD6:
-25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-60
(8x9 mm2) | P | - | | W947D2HBJ (1161 kB) 128 Mbit
(4Mx32) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6:
-25 - +85 (G)
Niski IDD6:
-25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-90
(8x13 mm2) | P | - | | W948D6FBH (963 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 256 Mbit
(16Mx16) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6:
-25 - +85 (G)
Niski IDD6:
-25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-60
(8x9 mm2) | P | - | | W948D2FBJ (963 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 256 Mbit
(8Mx32) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6:
-25 - +85 (G)
Niski IDD6:
-25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-90
(8x13 mm2) | P | - | | W948D6KBH (1057 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 256 Mbit
(16Mx16) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6:
-25 - +85 (G)
Niski IDD6:
-25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-60
(8x9 mm2) | P | - | | W948V6KBH (DSR) (1089 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- głębokie samoodświeżanie (Deep Self-Refresh - DSR) pozwalajace zaoszczędzić 70% mocy w stosunku do samoodświeżania standardowego
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 256 Mbit
(16Mx16) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | Standardowy IDD6:
-25 - +85 (G)
Niski IDD6:
-25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-60
(8x9 mm2) | P | - | | W949D6KBH (936 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 512 Mbit
(32Mx16) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-60
(8x9 mm2) | N | - | | W949D2KBJ (936 kB) 512 Mbit
(16Mx32) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-90
(8x13 mm2) | N | - | | W949D6DBH (1071 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 512 Mbit
(32Mx16) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-60
(8x9 mm2) | P | P | | W949D2DBJ (1071 kB) 512 Mbit
(16Mx32) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-90
(8x13 mm2) | P | P | | W94AD6KBH (1142 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- klasy prędkości: -5, -6
- CAS Latency: 2, 3
- długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 1 Gbit
(64Mx16) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-60
(8x9 mm2) | P | P | | W94AD2KBJ (1142 kB) 1 Gbit
(32Mx32) | 166 MHz (-6)
200 MHz (-5) | 1,8/1,8
(VDD/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-90
(8x13 mm2) | P | P | |
Niskomocowe DDR2 SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 2-giej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
| Typ układu |
Opis |
Pojemność
(organizacja) | Częstotliwość
zegara | Napięcie
zasilania
[V] | Temperat.
pracy
[°C] | Obudowa | Status
* | Wersja
motoryz.
* | W978H6KBV (1876 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 256 Mbit
(16Mx16) | 400 MHz
533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | P | P | | W978H2KBV (1876 kB) 256 Mbit
(8Mx32) | 400 MHz
533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | P | P | | W979H6KBV (1877 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 512 Mbit
(32Mx16) | 400 MHz
533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | P | P | | W979H2KBV (1877 kB) 512 Mbit
(16Mx32) | 400 MHz
533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | P | P | | W97AH6KBV (1916 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 1 Gbit
(64Mx16) | 400 MHz
533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | P | P | | W97AH2KBV (1916 kB) 1 Gbit
(32Mx32) | 400 MHz
533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | P | P | | W97AH6NBV (1913 kB) 1 Gbit
(64Mx16) | 400 MHz
533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | P | P | | W97AH2NBV (1913 kB) 1 Gbit
(32Mx32) | 400 MHz
533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | P | P | | W97BH6LBV (2470 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 2 Gbit
(128Mx16) | 400 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | N | - | | W97BH2LBV (2470 kB) 2 Gbit
(64Mx32) | 400 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | N | - | | W97BH6MBV (1914 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 2 Gbit
(128Mx16) | 400 MHz
533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | S | UD | | W97BH2MBV (1914 kB) 2 Gbit
(64Mx32) | 400 MHz
533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134
(10x11,5 mm2) | S | UD | |
Niskomocowe DDR3 SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 3-ciej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
| Typ układu |
Opis |
Pojemność
(organizacja) | Częstotliwość
zegara | Napięcie
zasilania
[V] | Temperat.
pracy
[°C] | Obudowa | Status
* | Wersja
motoryz.
* | W63AH6NBV (2073 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 1 Gbit
(64Mx16) | 800 / 933 / 1066 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | BGA-178 | P | - | | W63AH2NBV (2073 kB) 1 Gbit
(32Mx32) | 800 / 933 / 1066 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | BGA-178 | P | - | | W63BH6MBV (2082 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 2 Gbit
(128Mx16) | 800 / 933 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | BGA-178 | P | - | | W63BH2MBV (2082 kB) 2 Gbit
(64Mx32) | 800 / 933 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | BGA-178 | P | - | | W63CH6MBV (2686 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 8
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-Down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I)
- niski pobór mocy
| 4 Gbit
(256Mx16) | 800 / 933 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-178 | P | - | | W63CH2MBV (2686 kB) 4 Gbit
(128Mx32) | 800 / 933 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2
(VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 - +85 (E)
-40 - +85 (I) | VFBGA-178 | P | - | |
Niskomocowe DDR4/4X SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 4-tej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,1/1,1 V (DDR4) lub 1,8/1,1/0,6 V (DDR4X), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
| Typ układu |
Opis |
Pojemność
(organizacja) | Częstotliwość
zegara | Napięcie
zasilania
[V] | Temperat.
pracy
[°C] | Obudowa | Status
* | Wersja
motoryz.
* | W66BL6NBU (3509 kB) - organizacja jednokanałowa, pojedyncza struktura w jednej obudowie (Single-Die-Package)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 16/32
- 8 banków
- tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
- tryb czuwania (Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I), przemysłowy plus (J), motoryzacyjny
| 2 Gbit
(128Mx16x1 kanał) | 1600 / 1866 / 2133 MHz | 1,8 / 1,1 / 1,1 | -40 - +95 (I)
-40 - +105 (J)
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | S | UD | | W66BM6NBU (3484 kB) 2 Gbit
(128Mx16x1 kanał) | 1600 / 1866 / 2133 MHz | 1,8 / 1,1 / 0,6 | -40 - +95 (I)
-40 - +105 (J)
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | S | UD | | W66CL2NQU (3509 kB) - organizacja dwukanałowa, dwie struktury w jednej obudowie (Dual-Die-Package)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 16/32
- 8 banków
- tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
- tryb czuwania (Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 4 Gbit
(128Mx16x2 kanały) | 1600 / 1866 / 2133 MHz | 1,8 / 1,1 / 1,1 | -40 - +95
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | S | UD | | W66CM2NQU (3484 kB) 4 Gbit
(128Mx16x2 kanały) | 1600 / 1866 / 2133 MHz | 1,8 / 1,1 / 0,6 | -40 - +95
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | S | UD | | | W66CP6NBU | - organizacja jednokanałowa, pojedyncza struktura w jednej obudowie (Single-Die-Package)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 16/32
- 8 banków
- tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
- tryb czuwania (Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 4 Gbit
(256Mx16x1 kanał) | 1600 / 1866 MHz | 1,8 / 1,1 / 1,1 | -40 - +95
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | UD | UD | | W66CQ6NBU | 4 Gbit
(256Mx16x1 kanał) | 1600 / 1866 MHz | 1,8 / 1,1 / 0,6 | -40 - +95
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | UD | UD | | W66DP2NQU | - organizacja dwukanałowa, dwie struktury w jednej obudowie (Dual-Die-Package)
- synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 16/32
- 8 banków
- tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru
- tryb czuwania (Power-Down)
- zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny
| 8 Gbit
(256Mx16x2 kanały) | 1600 / 1866 MHz | 1,8 / 1,1 / 1,1 | -40 - +95
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | UD | UD | | W66DQ2NQU | 8 Gbit
(256Mx16x2 kanały) | 1600 / 1866 MHz | 1,8 / 1,1 / 0,6 | -40 - +95
Motoryzacyjny | WFBGA-200 | UD | UD |
|
