Pseudo SRAM

Pamięci z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM. Charakteryzują się krótkim czasem dostępu i małym poborem mocy. W porównaniu do CMOS SRAM mają większą pojemność, większą prędkość, mniejszy rozmiar struktury i działanie kompatybilne z pamięciami DRAM.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu	Opis	Pojemność (organizacja)	Częstotliwość zegara	Czas dostępu [ns]	Napięcie  zasilania [V]	Temperat. pracy [°C]	Obudowa	Status *
								Motoryzacyjny	Komercyjny i przemysłowy
W956D6KBK (1710 kB)	CellularRAM-ADM: multipleksowany adres/ dane obsługuje tryb asynchroniczny i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	64 Mbit (4Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 – +85 (I)	WFBGA-49 (4x4 mm2)	-	P
W958D6DBC (1159 kB)	CellularRAM-ADM: multipleksowany adres/ dane obsługuje tryb asynchroniczny i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	256 Mbit (16Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 – +85 (I)	VFBGA-54 (6x8 mm2)	-	N
W968D6DAG (1678 kB)	CellularRAM: obsługuje tryb asynchroniczny, stronicowy i burst zapis/odczyt w trybie burst 4/8/16/32-słowowy lub ciągły głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	256 Mbit (16Mx16)	133 MHz	70	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-40 – +85 (I)	VFBGA-54 (6x8 mm2)	-	N

HyperRAM

Udoskonalona wersja pamięci Pseudo SRAM, z jądrem DRAM i z tradycyjnym asynchronicznym interfejsem pamięci SRAM, charakteryzująca się wyższą prędkością pracy i mniejszymi obudowami.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu	Opis	Pojemność (organizacja)	Częstotliwość zegara	Czas dostępu [ns]	Napięcie  zasilania [V]	Temperat. pracy [°C]	Obudowa	Status *
								Motoryzacyjny	Komercyjny i przemysłowy
W955K8MBY (731 kB)	interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR magistrala danych 8-bitowa szybkie operacje odczytu i zapisu różnicowe wejścia zegarowe sprzętowy Reset bramkowany zapis/odczyt (RWDS) zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down) tryby odświeżania: pełne lub częściowe mała obudowa zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny	32 Mbit (4Mx8)	200 MHz	35	1,8 (VCC, VCCQ)	-40 – +85 (I) Motoryzacyjny	TFBGA-24 (6x8 mm2)	P	P
W955N8MBY (730 kB)	interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR magistrala danych 8-bitowa szybkie operacje odczytu i zapisu różnicowe wejścia zegarowe sprzętowy Reset bramkowany zapis/odczyt (RWDS) zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down) tryby odświeżania: pełne lub częściowe mała obudowa zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny	32 Mbit (4Mx8)	200 MHz	35	3,0 (VCC, VCCQ)	-40 – +85 (I) Motoryzacyjny	TFBGA-24 (6x8 mm2)	P	P
W956D8MWS	interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR magistrala danych 8-bitowa szybkie operacje odczytu i zapisu różnicowe wejścia zegarowe sprzętowy Reset bramkowany zapis/odczyt (RWDS) zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down) tryby odświeżania: pełne lub częściowe mała obudowa zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	64 Mbit (8Mx8)	200 MHz	35	1,8 (VCC, VCCQ)	-40 – +85 (I)	TFBGA-24 (6x8 mm2)	-	P
W956D8MBY (776 kB)	interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR magistrala danych 8-bitowa szybkie operacje odczytu i zapisu różnicowe wejścia zegarowe sprzętowy Reset bramkowany zapis/odczyt (RWDS) zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down) tryby odświeżania: pełne lub częściowe mała obudowa zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny	64 Mbit (8Mx8)	200 MHz	35	1,8 (VCC, VCCQ)	-40 – +85 (I) Motoryzacyjny	TFBGA-24 (6x8 mm2)	P	P
W956A8MBY (776 kB)	interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR magistrala danych 8-bitowa szybkie operacje odczytu i zapisu różnicowe wejścia zegarowe sprzętowy Reset bramkowany zapis/odczyt (RWDS) zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down) tryby odświeżania: pełne lub częściowe mała obudowa zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny	64 Mbit (8Mx8)	200 MHz	35	3,0 (VCC, VCCQ)	-40 – +85 (I) Motoryzacyjny	TFBGA-24 (6x8 mm2)	P	P
W957D8MFY (660 kB)	interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR magistrala danych 8-bitowa szybkie operacje odczytu i zapisu różnicowe wejścia zegarowe sprzętowy Reset bramkowany zapis/odczyt (RWDS) zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down) tryby odświeżania: pełne lub częściowe mała obudowa zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny	128 Mbit (16Mx8)	200 MHz	35	1,8 (VCC, VCCQ)	-40 – +85 (I) Motoryzacyjny	TFBGA-24 (6x8 mm2) DDP (podwójna struktura)	P	P
W957A8MFY (660 kB)	interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR magistrala danych 8-bitowa szybkie operacje odczytu i zapisu różnicowe wejścia zegarowe sprzętowy Reset bramkowany zapis/odczyt (RWDS) zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down) tryby odświeżania: pełne lub częściowe mała obudowa zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny	128 Mbit (16Mx8)	200 MHz	35	3,0 (VCC, VCCQ)	-40 – +85 (I) Motoryzacyjny	TFBGA-24 (6x8 mm2) DDP (podwójna struktura)	P	P
W958D8NBY (769 kB)	interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR magistrala danych 8-bitowa szybkie operacje odczytu i zapisu różnicowe wejścia zegarowe sprzętowy Reset bramkowany zapis/odczyt (RWDS) zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down) tryby odświeżania: pełne lub częściowe mała obudowa zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny	256 Mbit (32Mx8)	200 / 250 MHz	28	1,8 (VCC, VCCQ)	-40 – +85 (I) Motoryzacyjny	TFBGA-24 (6x8 mm2)	P	P
W958D8NWS	interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR magistrala danych 8-bitowa szybkie operacje odczytu i zapisu mała obudowa zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	256 Mbit (32Mx8)	200 MHz	35	1,8 (VCC, VCCQ)	-40 – +85 (I)	WLCSP	-	P
W958D6NWS	interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR magistrala danych 16-bitowa szybkie operacje odczytu i zapisu mała obudowa zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)	256 Mbit (16Mx16)	200 MHz	35	1,8 (VCC, VCCQ)	-40 – +85 (I)	WLCSP	-	P
W959D8NFY (733 kB)	interfejs HyperBus - mała liczba linii sygnałowych, tryb DDR magistrala danych 8-bitowa szybkie operacje odczytu i zapisu różnicowe wejścia zegarowe sprzętowy Reset bramkowany zapis/odczyt (RWDS) zapis/odczyt w trybie burst 16/32/64/128 bajtowym tryby czuwania: hybrydowy (Hybrid Sleep) oraz głęboki (Deep Power-down) tryby odświeżania: pełne lub częściowe mała obudowa zakres temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny	512 Mbit (64Mx8)	200 / 250 MHz	28	1,8 (VCC, VCCQ)	-40 – +85 (I) Motoryzacyjny	TFBGA-24 (6x8 mm2) DDP (podwójna struktura)	P	P

Niskomocowe SDR SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o pojedynczym transferze danych (SDR), posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu	Opis	Pojemność (organizacja)	Częstotliwość zegara	Napięcie  zasilania [V]	Temperat. pracy [°C]	Obudowa	Status *
							Motoryzacyjny	Komercyjny i przemysłowy
W987D6HBG (1834 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -6, -75 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona 4 banki samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	128 Mbit (8Mx16)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-54 (8x9 mm2)	-	N
W987D2HBJ (1834 kB)		128 Mbit (4Mx32)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	-	N
W988D6FBG (1036 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -6, -75 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona 4 banki samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	256 Mbit (16Mx16)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-54 (8x9 mm2)	-	N
W988D2FBJ (1036 kB)		256 Mbit (8Mx32)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	-	N
W989D6KBG (1463 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -6, -75 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona 4 banki samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	512 Mbit (32Mx16)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-54 (8x9 mm2)	-	N
W989D2KBJ (1463 kB)		512 Mbit (16Mx32)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	-	N
W989D6DBG (1192 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -6, -75 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 1, 2, 4, 8 i cała strona 4 banki samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	512 Mbit (32Mx16)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-54 (8x9 mm2)	-	P
W989D2DBJ (1192 kB)		512 Mbit (16Mx32)	133 MHz (-75) 166 MHz (-6)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	-	P

Niskomocowe DDR SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,8 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu	Opis	Pojemność (organizacja)	Częstotliwość zegara	Napięcie  zasilania [V]	Temperat. pracy [°C]	Obudowa	Status *
							Motoryzacyjny	Komercyjny i przemysłowy
W947D6HBH (1161 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I) niski pobór mocy	128 Mbit (8Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 – +85 (G) Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	-	N
W947D2HBJ (1161 kB)		128 Mbit (4Mx32)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 – +85 (G) Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	-	N
W948D6FBH (963 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I) niski pobór mocy	256 Mbit (16Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 – +85 (G) Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	-	N
W948D2FBJ (963 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I) niski pobór mocy	256 Mbit (8Mx32)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 – +85 (G) Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	-	N
W948D6KBH (1057 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I) niski pobór mocy	256 Mbit (16Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 – +85 (G) Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	-	P
W948V6KBH (DSR) (1089 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) głębokie samoodświeżanie (Deep Self-Refresh - DSR) pozwalajace zaoszczędzić 70% mocy w stosunku do samoodświeżania standardowego tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E, G), przemysłowy (I) niski pobór mocy	256 Mbit (16Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	Standardowy IDD6: -25 – +85 (G) Niski IDD6: -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	-	P
W949D6KBH (936 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	512 Mbit (32Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	-	N
W949D2KBJ (936 kB)		512 Mbit (16Mx32)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	-	N
W949D6DBH (1071 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100 niski pobór mocy	512 Mbit (32Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) Motoryzacyjny	VFBGA-60 (8x9 mm2)	N	P
W949D2DBJ (1071 kB)		512 Mbit (16Mx32)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	N	P
W94AD6KBH (1142 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst klasy prędkości: -5, -6 CAS Latency: 2, 3 długość cyklu burst: 2, 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100 niski pobór mocy	1 Gbit (64Mx16)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-60 (8x9 mm2)	N	P
W94AD2KBJ (1142 kB)		1 Gbit (32Mx32)	166 MHz (-6) 200 MHz (-5)	1,8/1,8 (VDD/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	VFBGA-90 (8x13 mm2)	N	P

Niskomocowe DDR2 SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 2-giej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu	Opis	Pojemność (organizacja)	Częstotliwość zegara	Napięcie  zasilania [V]	Temperat. pracy [°C]	Obudowa	Status *
							Motoryzacyjny	Komercyjny i przemysłowy
W978H6KBV (1876 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100 niski pobór mocy	256 Mbit (16Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) Motoryzacyjny	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	N	N
W978H2KBV (1876 kB)		256 Mbit (8Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) Motoryzacyjny	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	N	N
W979H6KBV (1877 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 4, 8, 16 4 banki różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100 niski pobór mocy	512 Mbit (32Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) Motoryzacyjny	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	P	N
W979H2KBV (1877 kB)		512 Mbit (16Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) Motoryzacyjny	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	P	N
W97AH6KBV (1916 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 4, 8, 16 8 banków różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100 niski pobór mocy	1 Gbit (64Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) Motoryzacyjny	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	N	N
W97AH2KBV (1916 kB)		1 Gbit (32Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) Motoryzacyjny	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	N	N
W97AH6NBV (1913 kB)		1 Gbit (64Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) Motoryzacyjny	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	P	P
W97AH2NBV (1913 kB)		1 Gbit (32Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) Motoryzacyjny	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	P	P
W97BH6MBV (1914 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 4, 8, 16 8 banków różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100 niski pobór mocy	2 Gbit (128Mx16)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) Motoryzacyjny	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	N	P
W97BH2MBV (1914 kB)		2 Gbit (64Mx32)	400 MHz 533 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I) Motoryzacyjny	VFBGA-134 (10x11,5 mm2)	N	P

Niskomocowe DDR3 SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 3-ciej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu	Opis	Pojemność (organizacja)	Częstotliwość zegara	Napięcie  zasilania [V]	Temperat. pracy [°C]	Obudowa	Status *
							Motoryzacyjny	Komercyjny i przemysłowy
W63AH6NBV (2085 kB)	synchroniczny interfejs w trybie burst 8 banków różnicowe wejścia zegarowe maskowanie danych przy zapisie samoodświeżanie (Self-Refresh) tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down) zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I) niski pobór mocy	1 Gbit (64Mx16)	800 / 933 / 1066 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	BGA-178	-	P
W63AH2NBV (2085 kB)		1 Gbit (32Mx32)	800 / 933 / 1066 MHz	1,8 (VDD1) 1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ)	-25 – +85 (E) -40 – +85 (I)	BGA-178	-	P

Niskomocowe DDR4/4X SDRAM

Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 4-tej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,1/1,1 V (DDR4) lub 1,8/1,1/0,6 V (DDR4X), wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy.
Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.

Typ układu	Opis	Pojemność (organizacja)	Częstotliwość zegara	Napięcie  zasilania [V]	Temperat. pracy [°C]	Obudowa	Status *
							Motoryzacyjny	Komercyjny i przemysłowy
W66BP6NBU (3657 kB)	organizacja jednokanałowa, pojedyncza struktura w jednej obudowie (Single-Die-Package) synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 16/32 8 banków tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru tryb czuwania (Power-down) zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I), przemysłowy plus (J), motoryzacyjny	2 Gbit (128Mx16x1 kanał)	1600 / 1866 / 2133 MHz	1,8 / 1,1 / 1,1	-40 – +105 (I) Motoryzacyjny	WFBGA-200	P	P
W66BQ6NBU (3635 kB)		2 Gbit (128Mx16x1 kanał)	1600 / 1866 / 2133 MHz	1,8 / 1,1 / 0,6	-40 – +105 (I) Motoryzacyjny	WFBGA-200	P	P
W66BP6NBH (3171 kB)	organizacja jednokanałowa, pojedyncza struktura w jednej obudowie (Single-Die-Package) synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 16/32 8 banków tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru tryb czuwania (Power-down) zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I)	2 Gbit (128Mx16x1 kanał)	1600 / 1866 / 2133 MHz	1,8 / 1,1 / 1,1	-40 – +105 (I)	VFBGA-100	-	UD
W66BQ6NBH (3154 kB)		2 Gbit (128Mx16x1 kanał)	1600 / 1866 / 2133 MHz	1,8 / 1,1 / 0,6	-40 – +105 (I)	VFBGA-100	-	UD
W66CP2NQU (3657 kB)	organizacja dwukanałowa, dwie struktury w jednej obudowie (Dual-Die-Package) synchroniczny interfejs w trybie burst długość cyklu burst: 16/32 8 banków tryby odświeżania: autoodświeżanie (Auto Refresh) dla banku, samoodświeżanie (Self-Refresh) częściowego obszaru tryb czuwania (Power-down) zakresy temperatury pracy: przemysłowy (I), motoryzacyjny	4 Gbit (128Mx16x2 kanały)	1600 / 1866 / 2133 MHz	1,8 / 1,1 / 1,1	-40 – +105 Motoryzacyjny	WFBGA-200	P	P
W66CQ2NQU (3635 kB)		4 Gbit (128Mx16x2 kanały)	1600 / 1866 / 2133 MHz	1,8 / 1,1 / 0,6	-40 – +105 Motoryzacyjny	WFBGA-200	P	P