Niskomocowe DDR2 SDRAM Szybkie niskomocowe (mobilne) pamięci SDRAM o podwójnym transferze danych (DDR) 2-giej generacji, posiadające napięcie zasilania 1,8/1,2 V, wyposażone w funkcje umożliwiające znaczną redukcję pobieranej mocy. Wszystkie układy są zgodne z dyrektywą RoHS.
* - Status, Wersja motoryzacyjna: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów.
Typ układu |
Opis |
Pojemność (organizacja) | Częstotliwość zegara | Napięcie zasilania [V] | Temperat. pracy [°C] | Obudowa | Status * | Wersja motoryz. * | W978H6KBV (1876 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 256 Mbit (16Mx16) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | N | | W978H2KBV (1876 kB) 256 Mbit (8Mx32) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | N | | W979H6KBV (1877 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 4 banki
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 512 Mbit (32Mx16) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | P | | W979H2KBV (1877 kB) 512 Mbit (16Mx32) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | P | | W97AH6KBV (1916 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 1 Gbit (64Mx16) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | N | | W97AH2KBV (1916 kB) 1 Gbit (32Mx32) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | N | N | | W97AH6NBV (1913 kB) 1 Gbit (64Mx16) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | P | P | | W97AH2NBV (1913 kB) 1 Gbit (32Mx32) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | P | P | | W97BH6MBV (1914 kB) - synchroniczny interfejs w trybie burst
- długość cyklu burst: 4, 8, 16
- 8 banków
- różnicowe wejścia zegarowe
- maskowanie danych przy zapisie
- samoodświeżanie (Self-Refresh)
- tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
- zakresy temperatury pracy: rozszerzony (E), przemysłowy (I), motoryzacyjny
- zgodność ze specyfikacją motoryzacyjną AEC-Q100
- niski pobór mocy
| 2 Gbit (128Mx16) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | P | N | | W97BH2MBV (1914 kB) 2 Gbit (64Mx32) | 400 MHz 533 MHz | 1,8 (VDD1)
1,2 (VDD2/VDDCA/VDDQ) | -25 – +85 (E) -40 – +85 (I)
Motoryzacyjny | VFBGA-134 (10x11,5 mm2) | P | N | |
|