Pamięci Flash

MCP na bazie NAND Flash

Zespoły pamięci w jednej obudowie wieloukładowej MCP (Multi-Chip Package), zawierające równoległą pamięć NAND Flash oraz mobilną pamięć SDRAM, służące do przechowywania danych i kodu. Takie kompaktowe rozwiązanie pozwala uzyskać znaczną oszczędność miejsca na płytkach PCB.

* Status: P - produkcja masowa, S - próbki, UD - w trakcie projektowania, N - niezalecany do nowych projektów, NA - niedostępny.

Typ układu Opis Pojemność
(organizacja) 		 Napięcie 
zasilania
[V]		 Temperatura
pracy
[°C]		     Obudowa     Status *
Motoryz. Komercyjny
i przemysłowy
W71NW10GE3FW Dwie pamięci z interfejsem równoległym w jednej obudowie: NAND Flash i mobilna LPDDR2 SDRAM:

NAND Flash:
  • technologia SLC (Single-Level Cell)
  • szerokość magistrali - 8 bitów
  • organizacja blokowa, łącznie 1024 kasowalne bloki
  • rozmiar bloku: 64 strony
  • rozmiar strony: 2048 B + 64 B
  • częstotliwość zegara: 29 MHz
  • zabezpieczenie danych w trybie OTP w chronionym obszarze
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
LPDDR2:
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • szerokość magistrali - 32 bity
  • podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara
  • częstotliwość zegara: do 400 MHz (prędkość danych do 800 Mbit/s/pin)
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 NAND Flash: 1 Gbit
(128Mx8)

LPDDR2: 512 Mbit
(16Mx32)		 NAND Flash: 1,7 - 1,95

LP DDR2:
VDD1 = 1,7 - 1,95
VDD2/VDDCA/VDDQ = 1,14 - 1,30		 -40 – +85 (I) BGA-162
(8x10,5x1 mm)		 - N
W71NW10HE3FW Dwie pamięci z interfejsem równoległym w jednej obudowie: NAND Flash i mobilna LPDDR2 SDRAM:

NAND Flash:
  • technologia SLC (Single-Level Cell)
  • szerokość magistrali - 8 bitów
  • organizacja blokowa, łącznie 1024 kasowalne bloki
  • rozmiar bloku: 64 strony
  • rozmiar strony: 2048 B + 64 B
  • częstotliwość zegara: 29 MHz
  • zabezpieczenie danych w trybie OTP w chronionym obszarze
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
LPDDR2:
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • szerokość magistrali - 32 bity
  • podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara
  • częstotliwość zegara: do 400 MHz (prędkość danych do 800 Mbit/s/pin)
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 NAND Flash: 1 Gbit
(128Mx8)

LPDDR2: 512 Mbit
(16Mx32)		 NAND Flash: 1,7 - 1,95

LP DDR2:
VDD1 = 1,7 - 1,95
VDD2/VDDCA/VDDQ = 1,14 - 1,30		 -40 – +85 (I) BGA-162
(8x10,5x1 mm)		 - P
W71NW10HM3FW Dwie pamięci z interfejsem równoległym w jednej obudowie: NAND Flash i mobilna LPDDR2 SDRAM:

NAND Flash:
  • technologia SLC (Single-Level Cell)
  • szerokość magistrali - 8 bitów
  • organizacja blokowa, łącznie 1024 kasowalne bloki
  • rozmiar bloku: 64 strony
  • rozmiar strony: 2048 B + 64 B
  • częstotliwość zegara: 29 MHz
  • zabezpieczenie danych w trybie OTP w chronionym obszarze
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
LPDDR2:
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • szerokość magistrali - 32 bity
  • podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara
  • częstotliwość zegara: do 400 MHz (prędkość danych do 800 Mbit/s/pin)
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 NAND Flash: 1 Gbit
(128Mx8)

LPDDR2: 1 Gbit
(32Mx32)		 NAND Flash: 1,7 - 1,95

LP DDR2:
VDD1 = 1,7 - 1,95
VDD2/VDDCA/VDDQ = 1,14 - 1,30		 -40 – +85 (I) BGA-162
(8x10,5x1 mm)		 - P
W71NW20GF3FW Dwie pamięci z interfejsem równoległym w jednej obudowie: NAND Flash i mobilna LPDDR2 SDRAM:

NAND Flash:
  • technologia SLC (Single-Level Cell)
  • szerokość magistrali - 8 bitów
  • organizacja blokowa, łącznie 2048 kasowalnych bloków
  • rozmiar bloku: 64 strony
  • rozmiar strony: 2048 B + 64 B
  • częstotliwość zegara: 40 MHz
  • zabezpieczenie danych w trybie OTP w chronionym obszarze
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
LPDDR2:
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • szerokość magistrali - 32 bity
  • podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara
  • częstotliwość zegara: do 400 MHz (prędkość danych do 800 Mbit/s/pin)
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 NAND Flash: 2 Gbit
(256Mx8)

LPDDR2: 1 Gbit
(32Mx32)		 NAND Flash: 1,7 - 1,95

LP DDR2:
VDD1 = 1,7 - 1,95
VDD2/VDDCA/VDDQ = 1,14 - 1,30		 -40 – +85 (I) BGA-162
(8x10,5x1 mm)		 - N
W71NW20KM3FW Dwie pamięci z interfejsem równoległym w jednej obudowie: NAND Flash i mobilna LPDDR2 SDRAM:

NAND Flash:
  • technologia SLC (Single-Level Cell)
  • szerokość magistrali - 8 bitów
  • organizacja blokowa, łącznie 2048 kasowalnych bloków
  • rozmiar bloku: 64 strony
  • rozmiar strony: 2048 B + 128 B
  • częstotliwość zegara: 40 MHz
  • zabezpieczenie danych w trybie OTP w chronionym obszarze
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
LPDDR2:
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • szerokość magistrali - 32 bity
  • podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara
  • częstotliwość zegara: do 400 MHz (prędkość danych do 800 Mbit/s/pin)
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 NAND Flash: 2 Gbit
(256Mx8)

LPDDR2: 1 Gbit
(32Mx32)		 NAND Flash: 1,7 - 1,95

LP DDR2:
VDD1 = 1,7 - 1,95
VDD2/VDDCA/VDDQ = 1,14 - 1,30		 -40 – +85 (I) BGA-162
(8x10,5x1 mm)		 - N
W71NW20KJ3FW Dwie pamięci z interfejsem równoległym w jednej obudowie: NAND Flash i mobilna LPDDR2 SDRAM:

NAND Flash:
  • technologia SLC (Single-Level Cell)
  • szerokość magistrali - 8 bitów
  • organizacja blokowa, łącznie 2048 kasowalnych bloków
  • rozmiar bloku: 64 strony
  • rozmiar strony: 2048 B + 128 B
  • częstotliwość zegara: 40 MHz
  • zabezpieczenie danych w trybie OTP w chronionym obszarze
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
LPDDR2:
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • szerokość magistrali - 32 bity
  • podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara
  • częstotliwość zegara: do 400 MHz (prędkość danych do 800 Mbit/s/pin)
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 NAND Flash: 2 Gbit
(256Mx8)

LPDDR2: 2 Gbit
(64Mx32)		 NAND Flash: 1,7 - 1,95

LP DDR2:
VDD1 = 1,7 - 1,95
VDD2/VDDCA/VDDQ = 1,14 - 1,30		 -40 – +85 (I) BGA-162
(8x10,5x1 mm)		 - N
W71NW42KJ3FW Dwie pamięci z interfejsem równoległym w jednej obudowie: NAND Flash i mobilna LPDDR2 SDRAM:

NAND Flash:
  • technologia SLC (Single-Level Cell)
  • szerokość magistrali - 8 bitów
  • organizacja blokowa, łącznie 2048 kasowalnych bloków
  • rozmiar bloku: 64 strony
  • rozmiar strony: 4096 B + 256 B
  • częstotliwość zegara: 40 MHz
  • zabezpieczenie danych w trybie OTP w chronionym obszarze
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
LPDDR2:
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • szerokość magistrali - 32 bity
  • podwójny transfer danych w jednym cyklu zegara
  • częstotliwość zegara: do 400 MHz (prędkość danych do 800 Mbit/s/pin)
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • tryb czuwania (Power-down) i głęboki tryb czuwania (Deep Power-down)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 NAND Flash: 4 Gbit
(512Mx8)

LPDDR2: 2 Gbit
(64Mx32)		 NAND Flash: 1,7 - 1,95

LP DDR2:
VDD1 = 1,7 - 1,95
VDD2/VDDCA/VDDQ = 1,14 - 1,30		 -40 – +85 (I) BGA-162
(8x10,5x1,8 mm)		 - N
W71N44AALRKI Dwie pamięci z interfejsem równoległym w jednej obudowie: NAND Flash i mobilna LPDDR4x SDRAM:

NAND Flash:
  • technologia SLC (Single-Level Cell)
  • szerokość magistrali - 8 bitów
  • rozmiar strony: 4096 B + 256 B
  • częstotliwość zegara: 40 MHz
  • zabezpieczenie danych w trybie OTP w chronionym obszarze
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
LPDDR4x:
  • synchroniczny interfejs w trybie burst
  • szerokość magistrali - 16 bitów
  • częstotliwość zegara: do 2133 MHz
  • 4 banki
  • samoodświeżanie (Self-Refresh)
  • zakres temperatury pracy: przemysłowy (I)
 NAND Flash: 4 Gbit<

LPDDR4x:4 Gbit		 NAND Flash: 1,7 - 1,95

LPDDR2:
VDD1 = 1,7 - 1,95
VDD2 = 1,06 - 1,17
VDDQ = 0,57 - 0,65		 -40 – +85 (I) BGA-149
(8x9,5x1,0 mm)		 - S
W71N88AALRKI NAND Flash: 8 Gbit<

LPDDR4x: 8 Gbit		 NAND Flash: 1,7 - 1,95

LPDDR2:
VDD1 = 1,7 - 1,95
VDD2 = 1,06 - 1,17
VDDQ = 0,57 - 0,65		 -40 – +85 (I) BGA-149
(8x9,5x1,0 mm)		   S